Tranzistorul KTB817 este un tranzistor bipolar PNP de putere, realizat în tehnologie triple-diffused, destinat aplicațiilor de amplificare audio și comutație de putere. Acest model este utilizat frecvent în etaje finale de amplificatoare audio, surse de alimentare și echipamente electronice care necesită curenți ridicați și tensiuni de lucru mari. KTB817 este complementarul tranzistorului KTD1047 și este recomandat de producători pentru etaje finale de amplificatoare audio de până la aproximativ 60 W. Triple Diffused PNP Transistor
Polaritate: PNP
Tensiune maximă colector-bază (VCBO): -160 V
Tensiune maximă colector-emitor (VCEO): -140 V
Tensiune maximă emitor-bază (VEBO): -6 V
Curent maxim colector continuu (IC): -12 A or în impuls (ICP): -15 A
Putere maximă disipată (PC, Tc = 25°C): 100 W în curent (hFE): 60 – 200 la IC = -1 A, VCE = -5 V 5 A, IB = -0,5 A une bază-emitor în conducție (VBE(on)): max. 1,5 V la IC = -1 A, VCE = -5 V Curent rezidual colector (ICBO): max. 100 µA 100 µA
Temperatura maximă a joncțiunii: 150°C
Temperatură de stocare: -55°C ... +150°C
Complementar recomandat: KTD1047 cvată pentru etaje finale de amplificare și alte aplicații electronice de putere.
Produs: KTB817
