🛒
Meniu
Vizitatori online: 235

IRF1405

 5,34lei (cu TVA)
4,41lei
 

IRF1405 este un tranzistor MOSFET de putere cu canal N, proiectat pentru aplicații de comutație la curenți foarte mari și pierderi reduse. Face parte din familia HEXFET și este utilizat frecvent în convertoare DC-DC, invertoare, controlere pentru motoare electrice, sisteme audio auto de mare putere, surse de alimentare în comutație și echipamente industriale. Datorită rezistenței foarte scăzute în stare de conducție (RDS(on)), IRF1405 permite obținerea unui randament ridicat și reducerea disipării termice.

Capsula TO-220AB facilitează montarea pe radiator, iar capacitatea mare de curent îl recomandă pentru aplicații care necesită comutarea sarcinilor de putere. Modelul este produs de mai mulți fabricanți compatibili cu specificațiile originale International Rectifier (actualmente parte a Infineon), fiind unul dintre cele mai utilizate MOSFET-uri în electronica de putere.

Funcții și domenii de măsurare

Acest produs nu este un aparat de măsură. Principalele caracteristici electrice sunt:

  • Tensiune drenă–sursă (VDS): până la 55 V

  • Curent continuu drenă (ID): până la 169 A la TC = 25°C

  • Curent drenă în impuls (IDM): până la 680 A

  • Rezistență drenă–sursă în conducție (RDS(on)): maximum 0,0053 Ω la VGS = 10 V

  • Tensiune poartă–sursă (VGS): ±20 V

  • Putere disipată maximă: 330 W

  • Temperatură de funcționare a joncțiunii: -55°C ... +175°C

Specificații tehnice

  • Model: IRF1405

  • Tip componentă: tranzistor MOSFET de putere

  • Polaritate: canal N (N-Channel)

  • Tehnologie: HEXFET Power MOSFET

  • Tensiune maximă drenă–sursă (VDS): 55 V

  • Curent continuu drenă (ID): 169 A

  • Curent drenă în impuls (IDM): 680 A

  • Rezistență RDS(on): max. 5,3 mΩ (0,0053 Ω)

  • Tensiune maximă poartă–sursă (VGS): ±20 V

  • Tensiune prag poartă–sursă (VGS(th)): 2 V ... 4 V

  • Putere disipată maximă (PD): 330 W

  • Sarcină totală poartă (Qg): aproximativ 170 nC

  • Timp de comutație: dependent de circuitul de comandă și condițiile de lucru

  • Temperatură de funcționare: -55°C ... +175°C

  • Rezistență termică joncțiune–capsulă: aproximativ 0,45 °C/W

  • Capsulă: TO-220AB

  • Montare: THT (Through-Hole)

  • Număr terminale: 3

  • Material carcasă: plastic cu talpă metalică pentru disiparea căldurii

  • Conformitate RoHS: disponibilă în funcție de producător și versiune

  • Dimensiuni: conform standardului TO-220AB; dimensiunile exacte nu sunt specificate în sursele consultate

  • Greutate: nespecificată în sursele consultate

Conținut pachet

  • 1 x tranzistor MOSFET IRF1405

Aplicații recomandate

  • Invertoare de tensiune

  • Surse de alimentare în comutație (SMPS)

  • Convertoare DC-DC de mare putere

  • Controlere pentru motoare electrice DC

  • Amplificatoare audio auto

  • Sisteme de alimentare pentru vehicule electrice și echipamente industriale

  • Proiecte electronice de putere și reparații electronice

Datorită combinației dintre curentul maxim foarte ridicat și rezistența extrem de redusă în conducție, IRF1405 reprezintă o alegere populară pentru aplicațiile unde eficiența energetică și capacitatea de a comuta sarcini mari sunt criterii esențiale.

×

Cere Informații

Produs: IRF1405