Memorie Flash NAND Toshiba TC58NVG0S3HTA00 – 1Gbit (128M x 8 bit), SLC NAND
TC58NVG0S3HTA00 este un circuit integrat de memorie NAND Flash produs de Toshiba Semiconductor (în prezent Kioxia), destinat aplicațiilor de stocare a datelor în echipamente electronice, televizoare, receivere digitale, sisteme embedded, routere, echipamente industriale și alte dispozitive care necesită memorie nevolatilă de mare fiabilitate. Componenta utilizează tehnologie SLC (Single-Level Cell), apreciată pentru durabilitate și performanță superioară față de soluțiile MLC sau TLC
Memoria permite stocarea permanentă a firmware-ului, sistemelor de operare embedded și a altor date critice, păstrând informațiile chiar și după întreruperea alimentării. Dispozitivul este realizat pentru montare pe suprafață și este utilizat frecvent în operațiuni de service și reparații electronice.
Functii
Stocare nevolatilă de date și firmware.
Funcții suportate: citire (Read), programare pagină (Page Program), ștergere bloc (Block Erase), copiere pagină (Page Copy), citire stare (Status Read), resetare (Reset).
Organizare memorie: 1 Gbit (128M × 8 biți).
Specificatii tehnice
Producător: Toshiba Semiconductor / Kioxia.
Model: TC58NVG0S3HTA00.
Tip memorie: NAND Flash SLC (Single-Level Cell).
Capacitate totală: 1 Gbit (128 MB).
Organizare: 128M × 8 biți.
Tensiune de alimentare (VCC): 2,7 V – 3,6 V.
Interfață: NAND paralelă x8.
Dimensiune pagină: 2048 + 128 octeți.
Număr pagini per bloc: 64.
Dimensiune bloc: 128 KB + 8 KB.
Număr maxim blocuri: 1024.
Timp acces inițial: aproximativ 25 μs.
Timp ciclu serial de citire: minimum 25 ns.
Timp tipic programare pagină: aproximativ 300 μs.
Timp tipic ștergere bloc: aproximativ 2,5 ms.
Capsulă: TSOP-48 (conform variantei HTA00).
Număr pini: 48.
Montare: SMD (Surface Mount).
Temperatură de funcționare: 0°C ... +70°C.
Curent maxim de alimentare: aproximativ 30 mA.
Conținut pachet: 1 × memorie NAND Flash TC58NVG0S3HTA00.
Produs: TC58NVG0S3HTA00