Tranzistor MOSFET IRFP260 N-Channel 200V 50A TO-247
IRFP260 este un tranzistor MOSFET de putere cu canal N, utilizat pe scară largă în surse de alimentare în comutație, invertoare, convertoare DC-DC, amplificatoare de putere, controlere pentru motoare și alte aplicații electronice care necesită comutarea unor curenți și puteri ridicate.
Dispozitivul este realizat cu tehnologie HEXFET și oferă o combinație echilibrată între rezistența redusă în stare de conducție, capacitatea mare de curent și viteza ridicată de comutație. Capsula TO-247 permite montarea pe radiator pentru disiparea eficientă a căldurii în aplicațiile de putere.
IRFP260 este utilizat frecvent în echipamente industriale, surse în comutație, sisteme UPS, aparate de sudură, convertoare de frecvență și proiecte electronice de mare putere.
Functii
Comutare sarcini de putere în circuite electronice.
Control motoare și convertoare de putere.
Utilizare în surse de alimentare în comutație (SMPS).
Utilizare în invertoare și convertoare DC-DC.
Amplificatoare și etaje finale de putere.
Specificatii tehnice
Model: IRFP260.
Tip componentă: tranzistor MOSFET de putere.
Canal: N-Channel.
Tehnologie: HEXFET Power MOSFET.
Capsulă: TO-247AC.
Tensiune maximă drenă-sursă (VDS): 200 V.
Tensiune maximă poartă-sursă (VGS): ±20 V.
Curent maxim drenă (ID) la 25°C: 50 A.
Curent pulsatoriu drenă (IDM): 200 A.
Putere maximă disipată (PD): 300 W.
Rezistență drenă-sursă în conducție RDS(on): maximum 0,055 Ω.
Tensiune prag poartă (VGS(th)): 2 V – 4 V.
Sarcină totală poartă (Qg): aproximativ 180 nC.
Timp de creștere (Rise Time): aproximativ 100 ns.
Timp de coborâre (Fall Time): aproximativ 74 ns.
Capacitate de intrare (Ciss): aproximativ 5600 pF.
Temperatura de funcționare a joncțiunii: -55°C ... +175°C.
Rezistență termică joncțiune-capsulă: aproximativ 0,50 °C/W.
Montare: prin inserție (Through-Hole).
Material capsulă: plastic epoxidic cu talpă metalică.
Conținut pachet: 1 x tranzistor MOSFET IRFP260.
Produs: IRFP260
