Memorie Flash NAND Toshiba TC58NVG0S3HTA00 – 1Gbit (128M x 8 bit), SLC NAND
TC58NVG0S3HTA00 este un circuit integrat de memorie NAND Flash produs de Toshiba Semiconductor (în prezent Kioxia), destinat aplicaศiilor de stocare a datelor în echipamente electronice, televizoare, receivere digitale, sisteme embedded, routere, echipamente industriale ศi alte dispozitive care necesitฤ memorie nevolatilฤ de mare fiabilitate. Componenta utilizeazฤ tehnologie SLC (Single-Level Cell), apreciatฤ pentru durabilitate ศi performanศฤ superioarฤ faศฤ de soluศiile MLC sau TLC
Memoria permite stocarea permanentฤ a firmware-ului, sistemelor de operare embedded ศi a altor date critice, pฤstrând informaศiile chiar ศi dupฤ întreruperea alimentฤrii. Dispozitivul este realizat pentru montare pe suprafaศฤ ศi este utilizat frecvent în operaศiuni de service ศi reparaศii electronice.
Functii
Stocare nevolatilฤ de date ศi firmware.
Funcศii suportate: citire (Read), programare paginฤ (Page Program), ศtergere bloc (Block Erase), copiere paginฤ (Page Copy), citire stare (Status Read), resetare (Reset).
Organizare memorie: 1 Gbit (128M × 8 biศi).
Specificatii tehnice
Producฤtor: Toshiba Semiconductor / Kioxia.
Model: TC58NVG0S3HTA00.
Tip memorie: NAND Flash SLC (Single-Level Cell).
Capacitate totalฤ: 1 Gbit (128 MB).
Organizare: 128M × 8 biศi.
Tensiune de alimentare (VCC): 2,7 V – 3,6 V.
Interfaศฤ: NAND paralelฤ x8.
Dimensiune paginฤ: 2048 + 128 octeศi.
Numฤr pagini per bloc: 64.
Dimensiune bloc: 128 KB + 8 KB.
Numฤr maxim blocuri: 1024.
Timp acces iniศial: aproximativ 25 μs.
Timp ciclu serial de citire: minimum 25 ns.
Timp tipic programare paginฤ: aproximativ 300 μs.
Timp tipic ศtergere bloc: aproximativ 2,5 ms.
Capsulฤ: TSOP-48 (conform variantei HTA00).
Numฤr pini: 48.
Montare: SMD (Surface Mount).
Temperaturฤ de funcศionare: 0°C ... +70°C.
Curent maxim de alimentare: aproximativ 30 mA.
Conศinut pachet: 1 × memorie NAND Flash TC58NVG0S3HTA00.
Produs: TC58NVG0S3HTA00