Tranzistor MOSFET N-Channel IRF3710, 100V, 57A, TO-220AB
IRF3710 este un tranzistor MOSFET de putere cu canal N, proiectat de International Rectifier (în prezent parte a Infineon Technologies), destinat aplicațiilor de comutație și control al puterii la curenți ridicați. Datorită rezistenței foarte mici în stare de conducție și capacității de a suporta curenți mari, acest MOSFET este utilizat frecvent în surse în comutație, convertoare DC-DC, invertoare, controlere pentru motoare, sisteme auto și echipamente industriale.
Tehnologia HEXFET utilizată de producător oferă pierderi reduse la conducție, comutație rapidă și fiabilitate ridicată în aplicații de putere. Capsula TO-220AB permite montarea pe radiator pentru disiparea eficientă a căldurii în regimuri de funcționare solicitante.
Functii
Comutație electronică de putere în surse de alimentare în comutație (SMPS).
Control motoare DC și sarcini inductive.
Convertoare DC-DC și invertoare.
Circuite de management al energiei și control al puterii.
Aplicații auto și industriale cu tensiuni de până la 100 V.
Specificatii tehnice
Model: IRF3710.
Producător original: International Rectifier (IR).
Tip tranzistor: MOSFET de putere N-Channel.
Tehnologie: HEXFET.
Capsulă: TO-220AB.
Tensiune maximă drenă-sursă (VDS): 100 V.
Curent maxim drenă (ID): 57 A la TC = 25 °C.
Curent drenă continuu la TC = 100 °C: 40 A.
Curent drenă în impuls (IDM): 230 A.
Rezistență drenă-sursă în conducție (RDS(on)): maxim 23 mΩ la VGS = 10 V.
Tensiune maximă poartă-sursă (VGS): ±20 V.
Putere maximă disipată (PD): 200 W la TC = 25 °C.
Temperatura de funcționare a joncțiunii: -55 °C ... +175 °C.
Rezistență termică joncțiune-carcasă (RθJC): 0,75 °C/W.
Timp de recuperare inversă al diodei interne (trr): tipic 140 ns, maxim 220 ns.
Tensiune directă diodă internă (VSD): aproximativ 1,2 V.
Sarcină totală de poartă (Qg): până la aproximativ 100 nC, în funcție de condițiile de test.
Montare: prin gaură (Through Hole).
Configurație terminale: 1-Gate, 2-Drain, 3-Source; tab-ul metalic conectat la Drain.
Protecții integrate: complet avalanșat (Fully Avalanche Rated), rezistență ridicată la solicitări dinamice dv/dt.
Conținut pachet: 1 × tranzistor MOSFET IRF3710.
IRF3710 reprezintă o alegere potrivită pentru proiecte și echipamente care necesită comutația eficientă a curenților mari, oferind pierderi reduse și performanțe excelente în aplicații de putere.
